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Furukawa Electric desarrolló un chip de diodo láser DFB de 100 mW de alto rendimiento 

  • Furukawa Electric ha desarrollado con éxito un chip de diodo láser DFB con una potencia de salida de 100 mW líder en la industria. 
  • Esto es en respuesta a la demanda de un mayor rendimiento del transceptor óptico en los centros de datos. 
  • Una mayor potencia de salida contribuye a reducir el consumo de energía del transceptor óptico y del centro de datos. 

Furukawa Electric Co., Ltd. (oficina central: 2-6-4 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokio; presidente: Keiichi Kobayashi) desarrolló con éxito un chip de diodo láser DFB con una salida líder en la industria de 100 mW. 

Tras el uso generalizado de los servicios de comunicación de datos, incluidos los servicios en la nube y 5G, los volúmenes de tráfico de datos siguen aumentando. Los transceptores ópticos de modulación de intensidad se utilizan ampliamente en los centros de datos. En los últimos años, la tecnología de fotónica de silicio (nota 1), que tiene beneficios significativos en términos de tamaño pequeño, alta integración, bajo consumo de energía y bajo costo, ha sido ampliamente adoptada. Muchos de estos transceptores están equipados con chips de diodo láser DFB, que proporcionan una fuente de luz de alta potencia de salida de longitud de onda única. 

El rendimiento de los transceptores ópticos continúa aumentando junto con el crecimiento del tráfico de datos. La velocidad de transmisión anterior era de 400 Gbps, pero está aumentando a velocidades que superan los 800 Gbps, hasta 1,6 Tbps (Fig. 1). A medida que aumenta la velocidad de transmisión, aumenta la pérdida óptica durante la modulación de alta velocidad y alta intensidad, lo que hace necesario tener un chip de diodo láser DFB con mayor potencia de salida. Al mismo tiempo, ha aumentado el uso de transceptores ópticos y otros dispositivos en equipos de red en centros de datos y estaciones base de red, y el creciente consumo de energía se está convirtiendo en un problema importante. 

Fig. 1 Pronóstico de demanda de transceptores ópticos para Ethernet (LightCounting) 

 A medida que GAFAM y las otras grandes empresas de TI continúan invirtiendo activamente en centros de datos, estamos suministrando chips de diodo láser DFB a múltiples clientes, incluidos los fabricantes de transceptores ópticos, donde nuestros productos son muy apreciados por sus características de potencia de salida y confiabilidad de clase mundial. 

Utilizando la experiencia en tecnología de chips semiconductores InP (fosfuro de indio, nota 2) acumulada a lo largo de los años, hemos desarrollado con éxito un chip de diodo láser DFB con una potencia de salida alta de 100 mW, una de las más altas del mundo (Fig. 2). A través de este nuevo avance, será posible realizar transceptores ópticos de alto rendimiento que admitan al menos 800 Gbps de comunicación de datos de gran volumen, así como responder a un mayor crecimiento en el tráfico de datos general. Además, la creación de transceptores de alto rendimiento utilizando nuestro chip de diodo láser DFB de alta potencia de salida como componente clave debería limitar el consumo de energía del transceptor óptico y reducir el consumo de energía general en el centro de datos. 

Planeamos exhibir este nuevo producto en la Conferencia Europea sobre Comunicación Óptica 2022 (ECOC 2022) programada para celebrarse en Basilea, Suiza, del 19 al 22 de septiembre. 

Fig. 2 Potencia de salida frente a corriente a 75 ℃ 

 Especificaciones del producto principal 

Characteristic Specification Characteristic Specification 
Optical output 
power 
100mW Side mode 
suppression ratio 
Min. 35dB 
Operating 
temperature 
-5 ~ +75℃ Beam divergence 
angle (vertical) 
Typ. 22 deg 
Peak 
wavelength 
1271/1291/1311/1331nm Beam divergence 
angle (horizontal) 
Typ. 18 deg 

La investigación continuará para desarrollar y comercializar fuentes de luz láser de semiconductores de alto rendimiento como una empresa líder en el negocio del láser, y contribuiremos a hacer realidad una sociedad verdaderamente próspera y sostenible a través de los avances en la comunicación óptica. 

(nota 1) Tecnología fotónica de silicio: tecnología de formación para plataformas integradas de dispositivos ópticos de alta densidad basadas en tecnología de fabricación de componentes electrónicos de silicio. La capacidad de utilizar tecnología de fabricación de componentes electrónicos de silicio ampliamente adoptada hace posible reducir costos y lograr una mayor integración. 

(nota 2)InP (fosfuro de indio): una familia de semiconductores III-V que se utiliza en la fabricación de chips de diodos láser y transistores de alta velocidad. 

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