La compañía Samsung presentó su nueva memoria de alto ancho de banda HBM4E durante el evento NVIDIA GTC 2026, diseñada para integrarse en la próxima plataforma de inteligencia artificial Vera Rubin de NVIDIA.
La memoria HBM4E, de séptima generación, está orientada a cargas de trabajo de inteligencia artificial y ofrece velocidades de hasta 16 Gbps por pin, así como un ancho de banda de hasta 4.0 terabytes por segundo por pila. Además, permite configuraciones de hasta 16 capas (16-Hi), con una capacidad de 48 GB por stack, utilizando tecnología DRAM de sexta generación de clase 10 nanómetros (1c).
Uno de los principales avances del desarrollo es la incorporación de la tecnología de unión híbrida de cobre (HCB), que sustituye los métodos tradicionales de unión por compresión térmica (TCB). Este cambio permite eliminar las conexiones de soldadura entre capas, reducir el espacio físico y mejorar la disipación térmica.
Según los datos presentados, esta tecnología disminuye la resistencia al calor en más de un 20% y facilita el apilamiento de 16 capas o más sin aumentar significativamente la altura del chip.
La HBM4E está diseñada como un componente central de la arquitectura Vera Rubin, orientada a sistemas de aceleración de IA. En su versión Rubin Ultra, se prevé la integración de hasta 16 sitios de memoria HBM, con capacidades de hasta 384 GB y un ancho de banda total de 64 TB/s.
El avance en memoria también impacta el rendimiento de los sistemas de IA frente a generaciones anteriores. En comparación con arquitecturas previas como Blackwell, la plataforma Rubin Ultra podría alcanzar hasta 1 TB de memoria HBM4E, un ancho de banda de 32 TB/s y un rendimiento de hasta 100 petaFLOPS en inferencia, con mejoras significativas en eficiencia energética.
De acuerdo con la información presentada, estas capacidades permiten entrenar modelos de más de 100 billones de parámetros, reducir los costos de inferencia hasta 10 veces y disminuir la latencia al permitir ejecutar modelos en una sola unidad de procesamiento.
Durante el evento, Samsung también exhibió otros componentes orientados al ecosistema de IA, como módulos SOCAMM2 (LPDDR para servidores) y unidades SSD PM1763 basadas en PCIe Gen6.
En cuanto a la disponibilidad, la compañía indicó que comenzará el envío de las primeras muestras de HBM4E a mediados de 2026, en línea con los ciclos de producción de infraestructuras de inteligencia artificial a gran escala.
